4N Te，纯度99.99%以上，银、铝、铋、钙、铬、铜、铁、镁、锰、钠、镍、铅、硒、硅、锡、锌杂质总含量小于100ppm；
5N Te，纯度99.999%以上，银、铝、铋、钙、铬、铜、铁、镁、锰、钠、镍、铅、硒、硅、锡、锌杂质总含量小于10ppm；
6N Te，纯度99.9999%以上，银、铝、铋、钙、铬、铜、铁、镁、锰、钠、镍、铅、硒、硅、锡、锌杂质总含量小于1ppm；
7N Te，纯度99.99999%以上，银、铝、铋、钙、铬、铜、铁、镁、锰、钠、镍、铅、硒、硅、锡、锌杂质总含量小于0.1ppm。
颗粒、块、粉。
主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、太阳能电池、热电转换元件、致冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体、核辐射探测、红外探测器等基础材料。
涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。
